| 型号： | SI1026X-T1-GE3 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Vishay Siliconix | 描述： | MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| SI1026X-T1-GE3 PDF |  |
| 产品目录绘图 | X-T1-E3 Series SOT-563 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 305mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.4 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SC-89-6 |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SI1026X-T1-GE3DKR |