型号:

SI1026X-T1-GE3

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SI1026X-T1-GE3 PDF
产品目录绘图 X-T1-E3 Series SOT-563
标准包装 1
系列 -
FET 型 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 305mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 1.4 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds -
功率 - 最大 250mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商设备封装 SC-89-6
包装 标准包装
产品目录页面 1661 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI1026X-T1-GE3DKR
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